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83_MOS管_核心参数

  • 电子元器件
  • 硬件基础

学习目标

  • 看懂 MOS 管数据手册的核心参数

核心概念

  • V_DS:漏源耐压,选型至少留 2 倍余量(12 V 系统选 40 V+)
  • I_D:连续电流;R_DS(on):导通电阻,发热 P = I² × R_DS(on),越小越好
  • V_GS(th):开启电压(只是”刚导通”,可靠开关要远超此值);逻辑电平 MOS 会标 V_GS = 4.5 V / 2.5 V 时的 R_DS(on)
  • V_GS(max):栅极耐压,一般 ±20 V,超了击穿氧化层
  • Qg(栅极电荷):决定高频开关驱动损耗;Ciss 输入电容:驱动”电容负载”的概念来源
  • 封装热阻 + 结温 T_J(150 ℃ 上限)决定实际能过多大电流,别只看 I_D 标称

易错点

  • 只看 V_GS(th) 以为主题 3.3 V 能”开满”——开启电压只是起点,低边驱动要对比 R_DS(on) @ V_GS 实测值

观看笔记

我的补充