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83_MOS管_核心参数
学习目标
- 看懂 MOS 管数据手册的核心参数
核心概念
- V_DS:漏源耐压,选型至少留 2 倍余量(12 V 系统选 40 V+)
- I_D:连续电流;R_DS(on):导通电阻,发热 P = I² × R_DS(on),越小越好
- V_GS(th):开启电压(只是”刚导通”,可靠开关要远超此值);逻辑电平 MOS 会标 V_GS = 4.5 V / 2.5 V 时的 R_DS(on)
- V_GS(max):栅极耐压,一般 ±20 V,超了击穿氧化层
- Qg(栅极电荷):决定高频开关驱动损耗;Ciss 输入电容:驱动”电容负载”的概念来源
- 封装热阻 + 结温 T_J(150 ℃ 上限)决定实际能过多大电流,别只看 I_D 标称
易错点
- 只看 V_GS(th) 以为主题 3.3 V 能”开满”——开启电压只是起点,低边驱动要对比 R_DS(on) @ V_GS 实测值