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80_MOS管_P沟道_增强型
学习目标
- 掌握 P 沟道增强型 MOS 管的导通条件与”高边开关”用法
核心概念
- 导通条件:V_GS < V_GS(th)(负压),即栅极比源极低足够多;电流 S → D
- 典型用法:高边开关——S 接 VCC,D 接负载,G 经驱动拉低导通
- 经典电路:防反接/电源开关,P-MOS 的 S 接电源输入,D 接负载,G 通过电阻上拉到输入端 + NPN/NMOS 拉低控制
- 常见型号:AO3401、SI2301(小功率)、IRF4905(大功率)
- 与 N 沟道对比:N 管做低边简单,P 管做高边省电平转换——“N 下 P 上”
易错点
- P 管”给低电平导通”与 N 管逻辑相反,程序和电路层面都要留意