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78_MOS管_N沟道_增强型
学习目标
- 掌握 N 沟道增强型 MOS 管的导通条件与典型用法
核心概念
- 结构:N+ 源漏扩散在 P 衬底上,栅极隔着氧化层”感应”出 N 型沟道
- 导通条件:V_GS > V_GS(th)(开启电压,常见 1~4 V);V_GS 越大,沟道越”胖”,导通电阻 R_DS(on) 越小
- 电流方向:D → S(N 沟道);体二极管从 S 指向 D,是大功率使用必须考虑的”内鬼”
- 典型用法:低边开关——负载接 VCC,S 接 GND,G 接控制信号;3.3 V 逻辑要选”逻辑电平 MOS”(如 AO3400、IRLZ44N)
- 栅极串小电阻(10~100 Ω)防振荡;G-S 并 10 kΩ 下拉电阻防上电漂移误导通
易错点
- 用普通 MOS(需 10 V 驱动)直接接 3.3 V 单片机 → 半导通发热烧管,要选逻辑电平型号