学习目标

• 理解 PN 结的形成与单向导电性——模拟电路最重要的分水岭

核心概念

• 形成过程:P、N 结合瞬间,交界处电子与空穴相互扩散复合,留下不能移动的离子区 → 空间电荷区(耗尽层),内建电场(约 0.7 V 硅 / 0.3 V 锗)
• 正向偏置:P 接 +、N 接 −,外电场削弱内建电场,耗尽层变窄,电流通过(导通)
• 反向偏置:P 接 −、N 接 +,耗尽层变宽,只有极小反向漏电流(截止)
• 单向导电性 = 二极管符号箭头的含义:电流只能从 P → N(阳极 → 阴极)
• 硅管导通压降约 0.7 V,锗管约 0.3 V,肖特基约 0.2~0.4 V

易错点

• PN 结导通不是”无电阻直通”,导通后两端仍有约 0.7 V 固定压降

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