学习目标

• 理解掺硼(三价)形成 P 型半导体的机理

核心概念

• 掺杂:往硅晶体掺入少量三价元素(硼 B),共价键缺一个电子 → 形成空穴
• 多数载流子 = 空穴(正),少数载流子 = 自由电子 → 称 P 型(Positive)
• 空穴移动:邻近电子递补空位,宏观上像”正电荷”在移动
• 整体仍电中性;导电主要靠空穴
• N 型 + P 型拼接 = PN 结 = 二极管、三极管、MOS 管的共同原材料

易错点

• “P 型带正电”是误解:载流子是空穴,但材料整体电中性

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