学习目标

• 理解掺磷(五价)形成 N 型半导体的机理

核心概念

• 掺杂:往硅晶体掺入极少量五价元素(磷 P、砷),多出一个不受共价键束缚的电子
• 多数载流子 = 自由电子(负),少数载流子 = 空穴 → 称 N 型(Negative)
• 特点:导电能力大幅提升,且主要靠电子导电;整体仍呈电中性(磷原子核与电子等量)
• 载流子浓度主要由掺杂量决定,不再”看天吃饭”(温度),器件性能因此可控
• 记号:N 型半导体,电子多;对应下一集的 P 型(空穴多)

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